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25 de sept. de 2013 · SiGe is a semiconductor alloy, meaning a mixture of two elements, silicon and germanium. Since 2000 or so, SiGe has become widely used to enhance the performance of ICs of various types. SiGe can be processed on equipment nearly the same as used for ordinary silicon. SiGe doesn't have some of the drawbacks of III-V compound semiconductors like ...
10 de jul. de 2015 · 然后说一下SiGe工艺的概念：SiGe工艺（应变硅），是在制造电路结构中的双极晶体管时，在硅基区材料中加入一定含量的Ge形成应变硅异质结构晶体管，以改善双极晶体管特性的一种硅基工艺集成技术。 它的优点：具有高性能、高集成度、高成本-效益比等特点。
30 de nov. de 2015 · For 100 MHz you do not need SiGe or GaAs, you can use an ordinary CMOS or bipolar silicon amplifier. The only reason to use a 50-ohm input impedance on your amplifier should be if you can not put the amplifier close enough to the photodiode. For 100 MHz, this means closer than about 30 cm. If you can put your amplifier closer than 30 cm from ...
3 de sept. de 2015 · In a high-side switch, shown on the right, the load is between ground and the P-channel MOSFET doing the switching. The low-side switches are convenient for driving LEDs, relays, motors etc. because you can generally driven them directly from a microcontroller's output, as long as the V GS G S value of the MOSFET is lower than the output ...
26 de mar. de 2023 · Leider hab ich schon nach mehreren Stunden suchen keine genaueren Informationen zur Achse gefunden. Laut diversen Foreneinträgen müsste es sich um eine Deutz Sige 3500 handeln. Eine Typenbenennung auf der Achse konnte ich leider nicht finden. Hat vielleicht jemand ein Werkstatthandbuch / Explosionszeichnung zu der Achse?
1 de nov. de 2018 · DX 4.31. - Allradachse Sige 4180-02 Reparatur - Messingbuchse wechseln Allrad. Diskutiere DX 4.31. - Allradachse Sige 4180-02 Reparatur - Messingbuchse wechseln Allrad im Forum DX-Serie im Bereich Deutz / Deutz-Fahr Schlepper - Hallo Deutz Freunde, zur Zeit bearbeite ich die Allradvorderachse von meinem Deutz DX 4.31.
Conventional current flows from Drain to Source in an N Channel MOSFET. The arrow shows body diode direction in a MOSFET with a parasitic diode between source and drain via the substrate.
6 de nov. de 2015 · 首先SiGe已量产，据我所知，在UCI的一些实验室每年都有SiGe的免费流片了。. CMOS最大的优势在于 模拟射频 部分可以和数字电路一起单片集成为SoC，量产后成本极低。. SiGe的performance优势主要在于模拟和射频，（尤其是针对一些 高频电路 或者线性度要求比较高的 ...
Any output from the PIC greater than 0.6V (ish) will turn the transistor ON. (Load connected between Drain and Ground) When the PIC output is LOW, the transistor is OFF and the gate of the P MOSFET is HIGH (12V). This means the P MOSFET is OFF. When the output of the PIC is HIGH, the transistor is turned ON and pulls the gate of the MOSFET LOW.
27 de ago. de 2007 · ich habe mal wieder ein neues Problem mit meinem 8006 Special. Die Siege Allradachse ist innen in der Radnabe undicht. Also da wo die Antriebswelle in die Radnabe hineingeführt ist. Angeblich ist dort eine Messinghülse und ein Wellendichtring verbaut. Vermutlich ist beides hin, wenn ich einen Hebel unter die Kreuzgelenke ansetze und anhebe.
